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標題: 三星32nm HKMG低功耗工藝率先通過驗收 [打印本頁]

作者: kc7800_80k 時間: 2010-6-14 12:02 AM 標題: 三星32nm HKMG低功耗工藝率先通過驗收

Source: http://news.mydrivers.com/1/167/167023.htm

三星電子宣佈，旗下代工廠的32nm低功耗工藝和高K金屬柵極(HKMG)技術已經通過驗收，並宣稱自己是第一家做到這一點的代工廠。

三星在旗下三星代工(Samsung Foundry)位於韓國龍仁市的300毫米晶圓廠內完成了新工藝和新技術的可靠性測試，並做好了客戶設計投產準備。三星執行副總裁兼系統LSI部門總經理禹南星博士(Dr. Stephen Woo)透露說，32nm HKMG工藝晶圓將在明年的某個時候開始出貨，「希望是明年初期」。

三星32nm低功耗高K技術是和IBM領導的晶圓廠俱樂部其他成員共同完成的，不過禹南星表示三星在新技術的商業化方面走在了前列，同時他也指出，俱樂部的另一位成員GlobalFoundries已經準備跳過32nm代工節點，直奔28nm工藝。

高級芯片組造商都希望能盡快部署高K電介質技術，但該技術難度相當高，大多廠商都未能成功實現，只有Intel已經連續出貨了基於HKMG技術的45nm、32nm處理器。全球頭號代工廠台積電預計九月份推出高性能HKMG技術，並希望到年底的時候能夠提供帶有HKMG技術的高性能和低功耗28nm工藝。

在高K技術的實現上，三星、Intel分別使用了前柵極(gate-first)和後柵極(gate-last)兩種新一代柵極堆棧方法，其中前者是在對硅片進行漏/源區離子注入操作以及隨後的退火工步完成之前便生成金屬柵極，後者正好相反。

禹南星保證說，三星會在32nm和28nm工藝節點上使用gate-first方法，但之後就存在各種可能性了。

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