標題:
Intel展示新材料 極紫外光刻走向實用
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作者:
kc7800_80k
時間:
2010-6-14 12:06 AM
標題:
Intel展示新材料 極紫外光刻走向實用
Source:
http://news.mydrivers.com/1/167/167008.htm
在新式半導體光刻技術中，極紫外光刻(EUV)被認為是最有前途的方法之一，不過其實現難度也相當高，從上世紀八十年代開始探尋至今已經將近三十年，仍然未能投入實用。
極紫外光刻面臨的關鍵挑戰之一就是尋找合適的光刻膠(photoresist)，也就是用來在芯片層表面光刻出特定圖案的材料。它必須對極紫外輻射非常敏感，這樣才能刻出圖案，但同時又必須能夠抵禦隨後的蝕刻和其他處理步驟。——可簡單參考【
從沙子到芯片：且看處理器是怎樣煉成的
】
Intel公司內部一直在用微曝光設備(MET)對各種不同材料進行試驗和評估，目的就是尋找一種能夠同時滿足高敏感度、高分辨率、低線寬粗糙度(LWR)的光刻膠材料，最近終於取得了重大突破。
在際光學工程學會(SPIE)舉行的光刻大會上，Intel就進行了這方面的展示，
使用一種正型化學放大光刻膠(CAR)結合極紫外底層，以及一種相應的漂洗劑，最終達成了22nm半節距(half pitch)分辨率，並滿足敏感度和LWR要求。
Intel據此驕傲地宣佈，經過數十年的不懈努力，極紫外光刻技術已經從研究層面邁向實用
，當然了，真正商用仍尚需時日。
藍色部分即代表光刻膠
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